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70V659S15BC 发布时间 时间:2025/5/12 13:29:47 查看 阅读:7

70V659S15BC是一款高性能的MOSFET功率器件,主要应用于电源管理、开关电路和功率转换等领域。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,能够满足各种复杂电子系统的需求。
  该型号属于N沟道增强型MOSFET,适用于高频开关场景,例如DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等应用。其封装形式为行业标准的表面贴装类型,便于自动化生产和高效散热。

参数

最大漏源电压:70V
  连续漏极电流:65A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:45nC
  开关速度:25ns
  工作温度范围:-55℃ to +175℃

特性

70V659S15BC的主要特点是低导通电阻(仅1.5mΩ),这显著降低了功率损耗并提升了整体效率。此外,其高电流处理能力(65A)和快速开关性能使其非常适合于需要高效能和稳定性的应用环境。
  器件内置了多种保护机制,如过温保护和过流限制,从而增强了可靠性。同时,它还具备优秀的热性能,能够在高温条件下长时间运行而不降低性能。这种组合使得70V659S15BC成为工业级和汽车级应用的理想选择。

应用

这款MOSFET广泛用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电池管理系统(BMS)
  4. 电机驱动与控制
  5. 工业自动化设备
  6. 汽车电子系统
  其强大的电流承载能力和低导通电阻特性,特别适合大功率场合下的能量转换与分配。

替代型号

IRF7846,
  STP65N06,
  FDP067N06L

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70V659S15BC参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格24 : ¥1,762.96375托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式SRAM
  • 技术SRAM - 双端口,异步
  • 存储容量4.5Mb
  • 存储器组织128K x 36
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间15 ns
  • 电压 - 供电3.15V ~ 3.45V
  • 工作温度0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳256-LBGA
  • 供应商器件封装256-CABGA(17x17)