DS1270Y-70+ 是一款由 Maxim Integrated 生产的非易失性静态随机存取存储器 (NVSRAM)。该芯片结合了高速 SRAM 和非易失性存储技术,能够在断电时通过电池备份或超级电容自动保存数据。
DS1270 提供了一个 8KB 的 SRAM 存储空间,并且具有极高的数据完整性,支持无限次读写操作。其设计旨在为需要快速访问和高可靠性的应用提供理想的解决方案。
容量:8KB
工作电压范围:4.5V 至 5.5V
数据保持时间:10年以上(在电池供电情况下)
接口类型:并行
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装形式:32 引脚 SOP
DS1270Y-70+ 具有高可靠性、快速访问速度和非易失性特点。它使用了一种透明的切换机制,在主电源失效时能够无缝切换到备用电源以保护数据。
该芯片还具备自动写保护功能,可以防止因意外写入导致的数据丢失。此外,DS1270 提供了灵活的硬件和软件复位选项,便于系统集成。
与其他类型的非易失性存储器相比,如 EEPROM 或闪存,DS1270 提供更快的写入速度和更高的耐用性,非常适合频繁更新关键数据的应用场景。
DS1270Y-70+ 广泛应用于需要实时数据记录和高可靠性的领域,例如工业自动化设备中的数据日志记录、医疗设备中的患者信息存储、通信系统中的配置参数保存以及计量仪表中的能耗数据管理。
由于其快速的写入性能和非易失性,该芯片也常用于金融终端、POS 机和其他需要确保交易数据安全性的场合。
DS1275, DS1276, CY14B104PP