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SI1555DL-T1-GE3 发布时间 时间:2025/8/2 7:37:05 查看 阅读:24

SI1555DL-T1-GE3 是 Vishay Semiconductors 生产的一款双 N 沟道增强型 MOSFET,采用 TSSOP 封装。该器件主要用于高效率电源管理应用,如 DC-DC 转换器、负载开关和马达控制。该 MOSFET 提供了低导通电阻(Rds(on))和高速开关性能,适合用于便携式设备和功率管理电路。

参数

类型:MOSFET(双 N 沟道)
  漏源电压(Vds):20V
  栅源电压(Vgs):±12V
  连续漏极电流(Id):4A(每个通道)
  导通电阻(Rds(on)):38mΩ @ Vgs=4.5V
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装类型:TSSOP

特性

SI1555DL-T1-GE3 具有低导通电阻,有助于减少功率损耗并提高整体效率。其双 N 沟道设计允许在单个封装中实现两个独立的 MOSFET,节省了电路板空间。该器件的高速开关特性使其适用于高频开关应用,如 DC-DC 转换器和同步整流器。
  此外,SI1555DL-T1-GE3 具有良好的热稳定性和可靠性,适合在高温环境下运行。其栅极驱动电压范围较宽,支持 1.8V 至 4.5V 的逻辑电平驱动,兼容多种控制电路。该器件还具有低栅极电荷(Qg),有助于降低开关损耗并提高响应速度。
  由于其 TSSOP 封装具备良好的散热性能,该 MOSFET 在高电流应用中仍能保持稳定运行。同时,Vishay 提供了完整的数据手册和应用指南,帮助设计人员快速集成该器件到各种功率管理电路中。

应用

SI1555DL-T1-GE3 常用于便携式电子产品(如智能手机、平板电脑和笔记本电脑)中的电源管理系统。它适用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统和马达控制电路。该器件也广泛应用于工业控制设备、电源模块和嵌入式系统中,提供高效的功率控制解决方案。

替代型号

Si1555BDL-T1-E3, Si1555BDL-T1-GE3, NDS355AN

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