IPI60R380C6 是英飞凌(Infineon)推出的一款高性能功率MOSFET晶体管,采用了CoolMOS?技术。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优良的热性能,适用于需要高效能和高可靠性的电源转换应用。
类型:功率MOSFET
材质:硅
最大漏源电压(Vds):650V
最大漏极电流(Id):47A
导通电阻(Rds(on)):0.38Ω
封装类型:TO-220
工作温度范围:-55°C至150°C
IPI60R380C6 的核心优势在于其 CoolMOS 技术,这种技术显著降低了导通损耗和开关损耗,使得该器件非常适合高频开关应用。
此外,其低导通电阻确保了在高电流下也能保持较低的功耗,从而提高整体系统效率。
该MOSFET具备良好的热管理能力,能够在高温环境下稳定运行,并延长设备的使用寿命。
IPI60R380C6 还具有优异的雪崩能量承受能力,增强了器件在异常工况下的可靠性。
采用 TO-220 封装,便于安装和散热设计,适合多种工业标准电路板布局。
该器件广泛应用于各类电源管理系统,如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、UPS不间断电源以及太阳能逆变器等。
由于其高耐压和低导通电阻特性,IPI60R380C6 非常适合用于功率因数校正(PFC)电路中,以提升能源利用效率。
此外,它也常见于电机驱动控制系统、充电器和LED照明驱动电路等应用场景。
在汽车电子领域,该MOSFET可用于车载充电系统和电池管理系统(BMS),满足严苛的环境要求。
对于工业自动化和服务器电源供应系统,该器件能够提供稳定可靠的功率控制解决方案。
IPD60R380C6, IPA60R380C6, STW40NK60Z