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IPI60R380C6 发布时间 时间:2025/7/14 16:03:44 查看 阅读:12

IPI60R380C6 是英飞凌(Infineon)推出的一款高性能功率MOSFET晶体管,采用了CoolMOS?技术。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优良的热性能,适用于需要高效能和高可靠性的电源转换应用。

参数

类型:功率MOSFET
  材质:硅
  最大漏源电压(Vds):650V
  最大漏极电流(Id):47A
  导通电阻(Rds(on)):0.38Ω
  封装类型:TO-220
  工作温度范围:-55°C至150°C

特性

IPI60R380C6 的核心优势在于其 CoolMOS 技术,这种技术显著降低了导通损耗和开关损耗,使得该器件非常适合高频开关应用。
  此外,其低导通电阻确保了在高电流下也能保持较低的功耗,从而提高整体系统效率。
  该MOSFET具备良好的热管理能力,能够在高温环境下稳定运行,并延长设备的使用寿命。
  IPI60R380C6 还具有优异的雪崩能量承受能力,增强了器件在异常工况下的可靠性。
  采用 TO-220 封装,便于安装和散热设计,适合多种工业标准电路板布局。

应用

该器件广泛应用于各类电源管理系统,如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、UPS不间断电源以及太阳能逆变器等。
  由于其高耐压和低导通电阻特性,IPI60R380C6 非常适合用于功率因数校正(PFC)电路中,以提升能源利用效率。
  此外,它也常见于电机驱动控制系统、充电器和LED照明驱动电路等应用场景。
  在汽车电子领域,该MOSFET可用于车载充电系统和电池管理系统(BMS),满足严苛的环境要求。
  对于工业自动化和服务器电源供应系统,该器件能够提供稳定可靠的功率控制解决方案。

替代型号

IPD60R380C6, IPA60R380C6, STW40NK60Z

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IPI60R380C6参数

  • 数据列表IPx60R380C6
  • 产品培训模块CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
  • 标准包装500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列CoolMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10.6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C380 毫欧 @ 3.8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3.5V @ 320µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs32nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds700pF @ 100V
  • 功率 - 最大83W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
  • 供应商设备封装PG-TO262-3
  • 包装管件
  • 其它名称SP000660630