时间：2025/8/6 4:59:05
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VUO60-12N03是一种功率MOSFET模块，通常用于高功率应用，如电源转换器、逆变器和电机控制。该模块由多个MOSFET器件组成，提供高电流承载能力和良好的热性能。VUO60-12N03设计用于工业应用，具有高效的电能转换能力，并且能够在较高的工作温度下稳定运行。
类型：功率MOSFET模块
最大漏极电流（ID）：60A
最大漏源电压（VDS）：1200V
导通电阻（RDS(on)）：约3mΩ
封装类型：模块封装（通常为双列直插式封装DIP或类似）
工作温度范围：-55°C至150°C
热阻（Rth）：约0.25°C/W（结到壳）
VUO60-12N03具备多个高性能MOSFET器件，采用模块化设计，提高了系统的可靠性和易于维护性。其高电流容量和低导通电阻使其适用于高功率密度应用，同时减少了导通损耗。此外，该模块具有良好的散热性能，能够有效管理热应力，确保长期运行的稳定性。模块的封装设计支持快速安装和散热，适用于多种拓扑结构，如半桥、全桥和推挽式拓扑。该模块还具备较高的短路耐受能力，确保在瞬态条件下依然能够保持正常工作。
VUO60-12N03广泛应用于工业电力电子设备，如变频器、伺服驱动器、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器和电动汽车充电系统等。此外，它也适用于高功率开关电源和电焊机等设备，满足对高效率和高可靠性的需求。
VUO60-12NO3, VUO60-12N04
