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GA1812A122FBLAT31G 发布时间 时间:2025/6/5 12:51:59 查看 阅读:8

GA1812A122FBLAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等领域。其设计旨在提供高效率和低导通电阻,以满足现代电子设备对能效的要求。该器件采用先进的制造工艺,在保证性能的同时也提升了可靠性。
  该型号是经过优化后的增强型产品,具有良好的热性能和电气特性,适用于需要高效能转换的应用场景。

参数

最大漏源电压:120V
  连续漏极电流:36A
  导通电阻:1.2mΩ
  栅极电荷:75nC
  输入电容:2480pF
  总功耗:130W
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃

特性

GA1812A122FBLAT31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在高频工作条件下显著降低传导损耗。
  2. 高速开关能力,适合高频应用场合。
  3. 强大的雪崩能量承受能力,确保在异常情况下的稳定性。
  4. 内置ESD保护电路,提高了抗静电能力。
  5. 良好的热性能,有助于提升系统的整体可靠性。
  6. 符合RoHS标准,环保且无铅设计。

应用

这款功率MOSFET芯片适用于多种应用场景,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率级转换。
  2. 电动车及工业控制中的电机驱动。
  3. DC-DC转换器中的同步整流功能。
  4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
  5. 各种需要高效能功率转换的消费类电子产品。
  其强大的性能使得它成为众多功率转换解决方案的理想选择。

替代型号

GA1812A122FBLAT31, IRF3205, AO4412

GA1812A122FBLAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1200 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"(2.18mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-