时间：2025/7/23 19:33:43
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FDP46N30 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高功率和高效率的电子系统中，如电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器和负载开关等。该器件具有低导通电阻、高耐压和大电流承载能力的特点，适合于需要高可靠性和高效率的应用场景。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流 (Id)：46A
漏极-源极击穿电压 (Vds)：300V
栅极-源极电压 (Vgs)：±20V
导通电阻 (Rds(on))：典型值 0.065Ω（在 Vgs=10V）
最大功率耗散：200W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
FDP46N30 的主要特性包括低导通电阻，有助于减少功率损耗，提高系统效率；高耐压能力使其适用于多种高电压操作环境；该器件具有优异的热稳定性和过载保护性能，能够在高电流和高温条件下稳定工作。
此外，FDP46N30 还具有快速开关特性，能够有效减少开关损耗，提高响应速度。其封装形式通常为 TO-220 或 TO-262，便于散热和安装，适合在高功率密度应用中使用。
器件内部采用先进的平面工艺和沟槽技术，提高了器件的可靠性与稳定性，同时具有良好的抗静电能力和抗过热能力，确保在恶劣工作环境中的长期稳定运行。
FDP46N30 常用于各种功率电子系统中，如电源供应器、UPS（不间断电源）、电机控制电路、DC-DC 转换器、太阳能逆变器、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备以及汽车电子系统等。其高可靠性和高效率特性使其成为许多高性能功率管理应用的理想选择。
IRF46N30, FDP46N30H, FQA46N30
