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VUO110-08NO7 发布时间 时间:2025/8/6 9:34:55 查看 阅读:25

VUO110-08NO7是一款由Vishay公司生产的功率MOSFET,适用于高功率开关应用。该器件具有优良的导通特性和低损耗,适用于工业电源、逆变器和电机控制等应用。

参数

类型:功率MOSFET
  最大漏极电流:110A
  漏源电压:80V
  导通电阻(Rds(on)):7mΩ
  封装类型:TO-263
  工作温度范围:-55°C至175°C

特性

VUO110-08NO7具有低导通电阻,确保在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗。该器件采用先进的沟槽技术,提供优异的开关性能和可靠性。其高耐压能力和大电流容量使其适用于高要求的功率转换应用。此外,该MOSFET的封装设计优化了热管理,提高了器件在高温环境下的稳定性。
  VUO110-08NO7的栅极电荷较低,有助于提高开关速度并减少开关损耗。其设计支持高频操作,适合用于高效电源转换器和同步整流电路。该器件还具有良好的抗雪崩能力,能够承受瞬时过载条件而不损坏。
  该MOSFET的封装形式为TO-263,便于在PCB上安装,并提供良好的散热性能。其符合RoHS标准,适用于环保型电子设备设计。在电机驱动、DC-DC转换器、UPS系统等应用中,VUO110-08NO7能够提供可靠的性能和长寿命。

应用

VUO110-08NO7广泛应用于工业电源、电机控制、逆变器、DC-DC转换器、不间断电源(UPS)系统以及高功率开关设备。其优异的导通特性和热管理能力使其在高负载条件下表现出色,适合用于要求高效率和可靠性的电子系统中。

替代型号

VUO110-08NO7, VUO110-08N3, VUO110-08NM4

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VUO110-08NO7参数

  • 标准包装5
  • 类别半导体模块
  • 家庭桥式整流器
  • 系列-
  • 电压 - 峰值反向(最大)800V
  • 电流 - DC 正向(If)127A
  • 二极管类型三相
  • 速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳PWS-E1
  • 包装散装
  • 供应商设备封装PWS-E1