IXYP15N65C3D1 是由 IXYS 公司生产的一款高电压、高电流能力的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于高功率和高电压的电子系统中,如电源转换器、马达驱动、UPS系统以及工业自动化设备。这款MOSFET采用了先进的平面技术,具备良好的导通性能和高耐用性。该器件封装在TO-247AC封装中,便于安装和散热。
类型: N沟道MOSFET
漏极电流(Id): 15A
漏源电压(Vds): 650V
栅源电压(Vgs): ±20V
导通电阻(Rds(on)): 0.33Ω @ Vgs=10V
功率耗散(Ptot): 200W
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
封装类型: TO-247AC
IXYP15N65C3D1 的主要特性之一是其高耐压能力,能够在高达650V的漏源电压下可靠工作,这使得它适用于各种高压应用。此外,其15A的连续漏极电流能力使其能够在高负载条件下稳定运行。该器件的导通电阻为0.33Ω,在Vgs=10V时具有较低的导通损耗,从而提高了整体系统的效率。
另一个重要特性是其高功率耗散能力,额定值为200W,这得益于其TO-247AC封装良好的散热性能。该封装形式适用于高功率应用,便于连接散热片或使用其他散热手段。
该MOSFET还具有良好的热稳定性和抗过载能力,能够在高温环境下运行。其栅极驱动电压范围为±20V,允许使用标准的MOSFET驱动器进行控制,同时具备一定的过压保护能力。此外,该器件的工作温度范围宽,从-55°C到+150°C,适用于恶劣环境条件下的工业和汽车应用。
另外,IXYP15N65C3D1 的设计采用了先进的平面技术,确保了器件在高频开关应用中的稳定性,减少了开关损耗,并提高了整体性能。
IXYP15N65C3D1 适用于多种高功率电子系统,尤其是在需要高压和高电流能力的场合。其主要应用包括电源转换器,如DC-DC转换器和AC-DC电源适配器,用于高效能的电源管理系统。此外,它还广泛用于不间断电源(UPS)系统,提供可靠的电能转换和负载保护功能。
在工业自动化领域,该MOSFET可用于马达驱动电路,实现对电机速度和方向的精确控制。由于其高耐压和高电流能力,IXYP15N65C3D1 也适用于高功率LED照明系统、电池充电器和逆变器等应用。
此外,该器件还适合用于太阳能逆变器、电动汽车充电设备和工业加热系统,满足现代工业对高效能和高可靠性的需求。
STP15N65M5, FQA15N65, SPW47N60CFD7