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IXYP15N65C3D1 发布时间 时间:2025/8/6 1:03:37 查看 阅读:15

IXYP15N65C3D1 是由 IXYS 公司生产的一款高电压、高电流能力的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于高功率和高电压的电子系统中,如电源转换器、马达驱动、UPS系统以及工业自动化设备。这款MOSFET采用了先进的平面技术,具备良好的导通性能和高耐用性。该器件封装在TO-247AC封装中,便于安装和散热。

参数

类型: N沟道MOSFET
  漏极电流(Id): 15A
  漏源电压(Vds): 650V
  栅源电压(Vgs): ±20V
  导通电阻(Rds(on)): 0.33Ω @ Vgs=10V
  功率耗散(Ptot): 200W
  工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  封装类型: TO-247AC

特性

IXYP15N65C3D1 的主要特性之一是其高耐压能力,能够在高达650V的漏源电压下可靠工作,这使得它适用于各种高压应用。此外,其15A的连续漏极电流能力使其能够在高负载条件下稳定运行。该器件的导通电阻为0.33Ω,在Vgs=10V时具有较低的导通损耗,从而提高了整体系统的效率。
  另一个重要特性是其高功率耗散能力,额定值为200W,这得益于其TO-247AC封装良好的散热性能。该封装形式适用于高功率应用,便于连接散热片或使用其他散热手段。
  该MOSFET还具有良好的热稳定性和抗过载能力,能够在高温环境下运行。其栅极驱动电压范围为±20V,允许使用标准的MOSFET驱动器进行控制,同时具备一定的过压保护能力。此外,该器件的工作温度范围宽,从-55°C到+150°C,适用于恶劣环境条件下的工业和汽车应用。
  另外,IXYP15N65C3D1 的设计采用了先进的平面技术,确保了器件在高频开关应用中的稳定性,减少了开关损耗,并提高了整体性能。

应用

IXYP15N65C3D1 适用于多种高功率电子系统,尤其是在需要高压和高电流能力的场合。其主要应用包括电源转换器,如DC-DC转换器和AC-DC电源适配器,用于高效能的电源管理系统。此外,它还广泛用于不间断电源(UPS)系统,提供可靠的电能转换和负载保护功能。
  在工业自动化领域,该MOSFET可用于马达驱动电路,实现对电机速度和方向的精确控制。由于其高耐压和高电流能力,IXYP15N65C3D1 也适用于高功率LED照明系统、电池充电器和逆变器等应用。
  此外,该器件还适合用于太阳能逆变器、电动汽车充电设备和工业加热系统,满足现代工业对高效能和高可靠性的需求。

替代型号

STP15N65M5, FQA15N65, SPW47N60CFD7

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IXYP15N65C3D1参数

  • 现有数量0现货2,100Factory查看交期
  • 价格300 : ¥19.53873管件
  • 系列GenX3?, XPT?
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • IGBT 类型PT
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)38 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)80 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)2.5V @ 15V,15A
  • 功率 - 最大值200 W
  • 开关能量270μJ(开),230μJ(关)
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷19 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值15ns/68ns
  • 测试条件400V,15A,20 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr)110 ns
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商器件封装TO-220-3