时间：2025/8/5 16:06:39
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VUB70-16NOXT是一款由STMicroelectronics生产的功率MOSFET晶体管，主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用了先进的沟槽栅极技术，具有低导通电阻和出色的热性能，适合用于DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（Id）：70A
漏极-源极电压（Vds）：160V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大16mΩ
功率耗散（Ptot）：130W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-220、D2PAK等
VUB70-16NOXT具有多个关键特性，使其在高性能电源应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可降低导通损耗，提高整体效率。其次，该MOSFET采用了先进的沟槽栅极技术，提供更高的电流密度和更小的芯片尺寸，从而实现更高的功率密度。此外，其高耐压能力（160V）使其适用于多种中高功率应用，包括汽车电子、工业电源和电机控制。器件还具备良好的热管理性能，能够在高负载条件下保持稳定运行，减少过热风险。最后，其封装形式提供了良好的散热性能，支持高可靠性设计。
VUB70-16NOXT的栅极驱动电压范围较宽（±20V），允许使用标准的12V或15V驱动电路，简化了设计复杂度。同时，其快速开关特性减少了开关损耗，提高了整体系统效率。这些特性使该器件成为高性能电源转换系统中的理想选择，尤其是在需要高效率和高可靠性的场合。
该器件广泛应用于多种电源管理系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器和工业自动化设备。此外，它也适用于汽车电子系统，如车载充电器、起停系统和电动助力转向系统。
IPB016N16N5ATMA1, STD160N16T4AG, STB160N16T4AG
