时间：2025/9/14 2:10:22
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PMH400UNEH是一款由Rohm（罗姆）公司生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于功率半导体器件，广泛应用于各种高效率、高功率密度的电力电子系统中。该器件采用N沟道结构，适用于高边和低边开关应用，具有较低的导通电阻和优异的热稳定性，适合在电源转换器、电机控制、DC-DC转换器等电路中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：40V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：100A
导通电阻（Rds(on)）：典型值为1.9mΩ（@Vgs=10V）
功耗（Pd）：200W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：HSON（表面贴装）
PMH400UNEH是一款高性能MOSFET，具有低导通电阻和高电流容量，能够显著降低导通损耗，提高系统的整体效率。其低Rds(on)特性使其在高电流应用中表现出色，减少了发热并提高了可靠性。此外，该器件采用HSON封装，具有良好的热管理能力，适合在紧凑型设计中使用。
该MOSFET支持高达100A的连续漏极电流，适用于大功率应用，如电动汽车充电系统、工业电源和电机驱动器。其±20V的栅源电压耐受能力提供了更高的安全裕量，减少了栅极驱动电路的设计难度。同时，PMH400UNEH的工作温度范围较宽，能够在极端环境下稳定运行，提升了产品的环境适应性。
在可靠性方面，PMH400UNEH具有较高的耐用性和稳定性，符合AEC-Q101汽车电子标准，适用于对可靠性要求较高的汽车电子系统。此外，该器件的封装设计优化了寄生电感，有助于减少开关损耗和电磁干扰（EMI），从而提高系统性能和效率。
PMH400UNEH广泛应用于各类高功率电子设备中，如DC-DC转换器、同步整流器、电机控制模块、电池管理系统（BMS）、汽车电子系统（如车载充电器OBC和逆变器）、工业自动化设备以及高功率LED照明驱动电路。其高效能和高可靠性也使其成为新能源汽车和储能系统中的理想选择。
SiZ104DT, IPP120N10N3, SQJQ121EP, PMH560UN
