IRF7807VPBF-1 时间：2025/12/26 20:55:02 阅读：19

IRF7807VPBF-1是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的N沟道MOSFET，广泛应用于电源管理、开关电路和电机控制等电子系统中。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和优良的热性能，适合在高密度和高效率要求的应用场景中使用。其封装形式为SOT-23，属于小型表面贴装封装，便于在空间受限的PCB设计中集成。IRF7807VPBF-1符合RoHS环保标准，并且带有Pb-Free（无铅）标识，适用于无铅焊接工艺。该MOSFET工作电压适中，具备良好的栅极驱动兼容性，能够与常见的逻辑电平信号直接接口，因此在便携式设备、DC-DC转换器、负载开关以及电池供电系统中得到广泛应用。此外，该器件在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，增强了系统的可靠性。由于其优异的性价比和成熟的技术平台，IRF7807VPBF-1成为许多中低端功率应用中的首选MOSFET之一。

参数

型号：IRF7807VPBF-1
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：30V
　　连续漏极电流ID：7.9A
　　脉冲漏极电流IDM：31A
　　栅源电压VGS：±20V
　　导通电阻RDS(on)：最大8.5mΩ（VGS=10V）
　　导通电阻RDS(on)：最大11mΩ（VGS=4.5V）
　　阈值电压VGS(th)：典型值1.1V（范围0.8V~2.0V）
　　输入电容Ciss：典型值500pF（VDS=15V, VGS=0V）
　　输出电容Coss：典型值160pF
　　反向传输电容Crss：典型值40pF
　　栅极电荷Qg：典型值11nC（VGS=10V, ID=7.9A）
　　功耗PD：1.4W（TA=25°C）
　　工作结温范围TJ：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围TSTG：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23

特性

IRF7807VPBF-1采用了英飞凌成熟的沟槽型场效应晶体管技术，这种结构通过在硅片上刻蚀出垂直沟道来显著增加单位面积内的有效导电通道数量，从而大幅降低导通电阻RDS(on)。该器件在VGS=10V时，RDS(on)最大仅为8.5mΩ，在VGS=4.5V时也仅11mΩ，这一特性使其在低电压驱动条件下依然具备出色的导通能力，非常适合用于电池供电或由逻辑电平直接驱动的应用。此外，其低栅极电荷（Qg典型值11nC）和输入电容（Ciss约500pF）确保了快速的开关响应，减少了开关损耗，提高了整体系统效率。
　　该MOSFET具备良好的热稳定性与可靠性，其最大结温可达+150°C，并支持在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定运行，适用于工业级和消费类电子产品的严苛环境。器件内部具有较低的热阻特性，结合SOT-23封装的小型化设计，可在有限空间内实现高效的热量传导。同时，IRF7807VPBF-1具有较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压情况下提供一定的自我保护机制，增强系统的鲁棒性。
　　在制造工艺方面，该器件采用无铅（Pb-Free）设计，符合RoHS和WEEE环保指令要求，支持现代绿色电子产品生产需求。其SOT-23封装不仅体积小巧，还具备良好的机械强度和焊接可靠性，适合自动化贴片生产流程。此外，该MOSFET的阈值电压较低且一致性好，确保在多种控制信号下均能可靠开启，避免因驱动不足导致的非线性工作状态。综合来看，IRF7807VPBF-1在性能、尺寸、成本和环保方面实现了良好平衡，是中小功率开关应用中的理想选择。

应用

IRF7807VPBF-1因其低导通电阻、小封装尺寸和良好的开关特性，被广泛应用于各类中低功率电子系统中。常见用途包括便携式电子设备中的电源开关，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的负载开关或电池管理模块，用于控制不同功能模块的供电通断，以实现节能和延长续航时间。
　　在DC-DC转换器拓扑中，例如降压（Buck）或升压（Boost）电路中，该MOSFET常作为同步整流开关或主开关元件使用，其低RDS(on)有助于减少传导损耗，提高转换效率。此外，在电机驱动电路中，特别是在微型直流电机或步进电机的H桥驱动方案中，IRF7807VPBF-1可用于实现双向电流控制，提供快速响应和低发热表现。
　　该器件也适用于各类热插拔电路和过流保护模块，作为受控开关元件，配合控制器实现软启动和限流功能，防止系统上电时产生过大冲击电流。在LED驱动应用中，可用于恒流调节或PWM调光控制，凭借其快速开关能力实现精确亮度调节。
　　此外，IRF7807VPBF-1还常见于各种嵌入式控制系统、IoT设备、电源分配单元和USB供电接口中，作为高效、紧凑的功率开关解决方案。其SOT-23封装特别适合高密度PCB布局，尤其适用于空间受限但对性能有一定要求的设计场景。总体而言，该器件在消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子外围电路中均有广泛应用前景。