NVTFS4823NTAG 时间：2025/4/28 13:52:36 阅读：2

NVTFS4823NTAG 是一款来自 Vishay 的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了先进的 TrenchFET Gen III 技术，具有低导通电阻和高效率的特点。其封装形式为 SO-8，适合用于多种电源管理应用，如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电设备等。
　　该 MOSFET 具备出色的开关性能和热稳定性，能够有效降低传导损耗并提高系统效率。此外，NVTFS4823NTAG 的漏源极电压 (Vds) 额定值为 30V，适用于中低压应用环境。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：19A
　　导通电阻 (Rds(on))：6.5mΩ (在 Vgs=10V 时)
　　栅极电荷：25nC
　　总电容：1200pF
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：SO-8

特性

NVTFS4823NTAG 使用了 Vishay 的 TrenchFET 第三代技术，这使其具备以下特点：
　　1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于减少功率损耗，从而提高整体系统效率。
　　2. 高速开关能力，得益于较低的栅极电荷 Qg 和输出电荷 Qoss。
　　3. 优化的热性能设计，能够在较高的结温下保持稳定的运行。
　　4. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代工业需求。
　　5. 在宽广的工作温度范围内提供可靠的操作，适应多种恶劣环境的应用场景。

应用

由于其卓越的性能，NVTFS4823NTAG 可广泛应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源 (SMPS) 中作为功率开关元件。
　　2. 各种 DC-DC 转换器的设计，包括降压、升压及反相转换电路。
　　3. 电池供电设备中的负载开关功能实现。
　　4. 小型电机驱动控制，例如无人机、电动工具或家用电器中的电机控制。
　　5. 工业自动化系统中的信号隔离与保护电路。
　　6. 通信设备中的电源管理模块，如基站、路由器等设备的高效能源转换部分。