VU068-08N07 时间：2025/8/5 19:50:35 阅读：26

VU068-08N07 是一款由 Vishay Semiconductors 推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效率、高功率密度的电子设备中。该器件采用先进的沟槽技术，提供了低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，适用于电源管理和功率转换应用。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极电流（ID）：80 A（最大值）
　　漏源电压（VDS）：60 V（最大值）
　　栅源电压（VGS）：±20 V（最大值）
　　导通电阻（RDS(on)）：6.8 mΩ（最大值，典型值为 5.3 mΩ）
　　功率耗散（PD）：140 W（最大值）
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8 双片封装

特性

VU068-08N07 具备多项显著的电气和热性能优势。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可以显著降低导通损耗，提高系统效率，这在高功率应用中尤为重要。此外，该器件采用了 Vishay 的先进沟槽技术，使其在保持小尺寸的同时实现高性能。PowerPAK SO-8 封装形式具有优良的热管理能力，可以有效地将热量从芯片传导到 PCB 或散热片，从而延长器件的使用寿命。
　　该 MOSFET 支持高达 80A 的连续漏极电流，适用于高电流负载的应用，例如 DC-DC 转换器、电机驱动器和电池管理系统。其 ±20V 的栅源电压允许在较宽的驱动电压范围内稳定工作，增强了与不同驱动电路的兼容性。此外，VU068-08N07 的工作温度范围从 -55°C 到 175°C，使其适用于各种严苛环境，包括工业自动化、汽车电子和可再生能源系统。
　　在封装方面，PowerPAK SO-8 双片设计不仅提高了电流承载能力，还降低了寄生电感，提高了开关性能。这种封装技术也使得器件更容易焊接和安装在 PCB 上，提高了生产效率。

应用

VU068-08N07 广泛应用于多个高性能功率电子系统中。在电源管理领域，该器件常用于同步整流、DC-DC 转换器和负载开关，能够有效提升转换效率并减少热量产生。在电动汽车和混合动力汽车中，该 MOSFET 可用于电池管理系统（BMS）中的电流控制与保护，以及车载充电器的功率级设计。
　　工业自动化设备中，如伺服电机驱动器和变频器，VU068-08N07 可用于高效能功率开关，提供稳定的电流控制和快速的响应能力。此外，在太阳能逆变器和储能系统中，该器件也用于功率转换电路，以最大化能量转换效率。
　　由于其高可靠性和优异的热性能，VU068-08N07 还可用于高功率 LED 照明驱动器、电源适配器以及服务器电源等应用，满足现代电子设备对高效能、小型化和长寿命的需求。