时间：2025/6/25 15:15:36
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FQD7N10LTM是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点。其设计旨在满足工业、消费类电子以及通信设备中对高效功率管理的需求。
FQD7N10LTM的额定电压为100V，使其适用于多种低压至中压应用场合。此外，该芯片还具备出色的热稳定性和可靠性，能够有效降低功耗并提高系统的整体效率。
最大漏源电压：100V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：7A
导通电阻（Rds(on)）：0.18Ω
总栅极电荷：45nC
输入电容：1050pF
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-220
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可显著减少导通损耗。
2. 高速开关性能，适合高频应用。
3. 较高的雪崩击穿能量，增强了器件的鲁棒性。
4. 紧凑型封装设计，便于安装与散热。
5. 支持表面贴装和通孔安装方式。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
7. 在宽温度范围内保持稳定的电气性能。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. 直流电机驱动及控制。
3. LED照明驱动电路。
4. 工业自动化控制系统中的功率开关。
5. 消费类电子产品中的负载切换。
6. 电池保护和管理系统。
7. 逆变器和转换器模块。
IRFZ44N
STP70NF10
FQP17N10
IXFN100N10T2
