VU036-12N08 时间：2025/8/6 9:46:55 阅读：26

VU036-12N08是一款由Vishay Semiconductors制造的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽技术，优化了导通电阻和开关性能。该器件适用于各种高功率和高频率的应用场景，如电源转换器、DC-DC转换器、电机控制以及工业自动化设备。其封装形式为TO-220，便于散热并适用于多种电路设计。

参数

类型：N沟道
　　最大漏源电压(Vds)：120V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：36A
　　导通电阻(Rds(on))：8mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-220
　　最大功率耗散(Pd)：100W

特性

VU036-12N08 MOSFET具备多项优异的电气特性，首先是其低导通电阻(Rds(on))，仅为8mΩ，这显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，提高了能效。其次，该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，使得在保持高性能的同时，还具有良好的热稳定性和可靠性。
　　此外，VU036-12N08支持高达36A的连续漏极电流，使其能够应对高功率负载的需求。其最大漏源电压为120V，适合中高电压应用，同时栅源电压范围为±20V，提供了更大的驱动灵活性。
　　该器件的工作温度范围从-55°C到+175°C，表明其具有出色的耐温性能，能够在恶劣的环境条件下正常运行。TO-220封装形式不仅便于安装，还具备良好的散热能力，确保器件在高功率工作状态下的稳定性。
　　VU036-12N08还具有快速开关能力，这使其在高频开关电源设计中表现出色，降低了开关损耗并提高了整体系统效率。此外，该器件的封装设计符合RoHS标准，确保其环保性和兼容性。

应用

VU036-12N08广泛应用于多种电力电子系统，特别是在需要高效能和高可靠性的场合。例如，在DC-DC转换器中，该MOSFET可以作为主开关器件，提供高效的能量转换能力。在电源管理系统中，它可用于负载开关或功率调节模块，确保电源的稳定输出。
　　该器件还常见于电机驱动和控制电路中，尤其是在工业自动化和机器人系统中，用于控制电机的启动、停止和速度调节。此外，VU036-12N08也适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）以及电池管理系统（BMS），以实现高效率的能量转换和管理。
　　由于其高电流承载能力和低导通电阻，该MOSFET也常用于高功率LED照明系统、电动工具和电动汽车充电设备中。在这些应用中，VU036-12N08能够有效减少能量损耗并提高系统整体效率。