时间：2025/6/6 9:01:38
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JSM120N03DN是一款基于MOSFET技术的N沟道功率场效应晶体管（Power MOSFET），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和高效率的特点，适合需要高效能和快速开关的应用场景。
该型号的额定电压为30V，额定电流为120A，具备出色的热性能和电气性能，能够满足各种工业及消费类电子产品的严格要求。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：120A
导通电阻（典型值）：1.6mΩ
栅极电荷：48nC
输入电容：3590pF
总功耗：120W
工作结温范围：-55℃至175℃
1. 低导通电阻设计，有效降低功率损耗，提升系统效率。
2. 快速开关特性，支持高频操作，适用于现代高效能电源解决方案。
3. 高电流承载能力，确保在大电流应用中的稳定性和可靠性。
4. 具备优异的热稳定性，能够在极端温度条件下正常工作。
5. 小型封装选项，节省PCB空间，便于紧凑型设计。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动与控制
4. 工业自动化设备
5. 汽车电子系统
6. 太阳能逆变器
7. 电池管理系统（BMS）
8. LED驱动器
IRFZ44N
FDP18N06L
STP120NF03L
