型号：UT3404G-AE3-R
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：SOT-23
　　极性：N沟道
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：4A
　　脉冲漏极电流(IDM)：16A
　　导通电阻(RDS(on))：28mΩ @ VGS=10V, 2.8A；32mΩ @ VGS=4.5V, 2.8A
　　阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容(Ciss)：500pF @ VDS=15V
　　输出电容(Coss)：190pF @ VDS=15V
　　反向传输电容(Crss)：50pF @ VDS=15V
　　最大功耗(PD)：1W @ TA=25°C
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C

UT3404G-AE3-R采用高性能沟槽式MOSFET结构设计，具有极低的导通电阻RDS(on)，这使其在大电流应用中能够显著降低导通损耗，提高整体系统效率。其典型值在VGS=10V时仅为28mΩ，在VGS=4.5V时为32mΩ，表明即使在较低的驱动电压下也能维持优异的导通性能，非常适合现代低电压供电系统的需求。器件的漏源击穿电压为30V，额定连续漏极电流可达4A，短时间脉冲电流更可达到16A，表现出强大的电流承载能力。得益于SOT-23小型化封装与高效的芯片设计，该MOSFET在有限的空间内实现了出色的热性能与电气性能平衡。
　　该器件具备良好的热稳定性与长期可靠性，能够在-55°C至+150°C的结温范围内正常工作，适用于严苛的工业与消费类应用场景。其栅极阈值电压范围为1.0V~2.0V，确保了与多种逻辑控制器的良好兼容性，尤其是3.3V微控制器可直接驱动而无需额外电平转换电路。输入电容Ciss为500pF，输出电容Coss为190pF，Crss为50pF，这些参数有助于实现快速开关响应，减少开关过程中的能量损耗，从而提升高频开关应用中的效率。此外，UT3404G-AE3-R具备较强的抗静电能力（ESD）和一定的雪崩能量承受能力，增强了在异常工况下的鲁棒性。
　　在制造工艺方面，UT3404G-AE3-R遵循严格的品质控制流程，符合国际环保标准（RoHS），不含铅和有害物质，支持无铅回流焊工艺。其SOT-23封装便于自动化贴片生产，适用于高密度PCB布局，广泛用于便携式设备中的负载开关、电机驱动、电源路径管理等场景。综合来看，这款MOSFET凭借其低RDS(on)、高电流能力、良好热性能及小尺寸封装，在众多同类产品中展现出较高的性价比和应用灵活性。

UT3404G-AE3-R常用于各类中小功率电源管理系统中，尤其适合作为同步整流开关、DC-DC转换器中的主开关或续流二极管替代元件，以提升转换效率并减少发热。在便携式电子产品如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和移动电源中，它被广泛用于电池充放电控制电路和电源路径管理模块，实现对不同电源输入（如USB、无线充电、电池）之间的智能切换与保护。此外，该器件也常见于LED驱动电路中，作为恒流调节或开关控制元件使用，确保LED亮度稳定且高效运行。在电机控制领域，UT3404G-AE3-R可用于微型直流电机的H桥驱动电路中，控制电机正反转及调速功能。由于其具备良好的开关特性和热稳定性，也可用于各类负载开关、热插拔电路以及过流保护模块中，防止系统因突发短路或浪涌电流而受损。工业传感器、IoT终端设备、智能家居控制器等低功耗嵌入式系统中，该MOSFET用于电源域隔离与节能管理，帮助延长设备续航时间。总之，UT3404G-AE3-R凭借其紧凑封装、高效能表现和宽泛的工作条件，已成为现代电子系统中不可或缺的关键功率开关元件之一。

AO3404A
　　Si2304DS
　　FDN340P
　　FDS6670A
　　IRLL014PBF