VT223CR-ADJ 时间：2025/7/23 22:42:13 阅读：1

VT223CR-ADJ 是一款由 Vishay（威世）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高功率密度和高效率的电源管理应用而设计，适用于 DC-DC 转换器、电源管理模块、电池供电设备以及工业控制系统等。VT223CR-ADJ 的封装形式为 TO-220AB，具有良好的散热性能，适用于中高功率应用场景。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大漏极电流（ID）：11A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.045Ω（典型值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V ~ 4V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220AB

特性

VT223CR-ADJ 以其低导通电阻和高电流承载能力而著称，能够在高负载条件下保持较低的导通损耗，从而提高系统的整体效率。
　　该器件采用先进的沟槽技术，优化了导通性能并减少了开关损耗，使其在高频开关应用中表现优异。
　　此外，VT223CR-ADJ 具有良好的热稳定性和较高的耐用性，能够适应恶劣的工作环境，确保长期可靠运行。
　　其 TO-220AB 封装不仅提供了良好的散热能力，还便于安装在标准的散热片上，增强了器件的热管理性能。
　　该 MOSFET 还具有较高的雪崩能量承受能力，提升了在突发电压或电流冲击情况下的稳定性。

应用

VT223CR-ADJ 主要用于各种电源转换和功率控制应用，包括但不限于同步整流器、DC-DC 转换器、电机驱动器、电池充电器和负载开关电路。
　　在通信设备中，它常用于高效电源模块的设计，以满足对高效率和小型化的需求。
　　此外，该器件也适用于工业自动化系统中的功率控制单元，提供稳定的电流输出和可靠的开关性能。
　　在汽车电子系统中，如车载充电器和电动工具中，VT223CR-ADJ 同样表现出色，能够承受较高的工作温度和机械应力。
　　由于其优异的导通特性和热管理能力，该 MOSFET 也广泛用于便携式电子设备中的功率管理模块。