时间：2025/8/2 1:45:08
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CS4N65是一款由Central Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关及电机控制等电路中。该器件采用TO-220封装，具备良好的热稳定性和高可靠性。CS4N65的设计旨在提供高效的功率转换性能，适用于中高功率应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：4A
最大漏源电压（VDS）：650V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约2.5Ω（典型值）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
CS4N65具备低导通电阻和快速开关特性，使其在高频开关应用中表现出色。其高耐压能力（650V）使其适用于高电压输入环境下的功率转换。
该MOSFET采用先进的硅工艺制造，确保了优异的导通性能和较低的开关损耗，有助于提高电源系统的整体效率。
此外，CS4N65具备良好的热管理能力，TO-220封装可有效散热，从而保证器件在高温环境下仍能稳定运行。
该器件还具备较高的抗雪崩能力和过载耐受能力，适用于各种工业和消费类电子产品中的功率控制应用。
CS4N65广泛用于AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、电机驱动器、LED照明驱动电路、家用电器中的功率开关控制，以及工业自动化设备的电源管理模块。
STP4NK60Z, FQP4N60, IRFBC415
