时间：2025/4/29 16:23:13
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ELXJ350ELL820MF15D是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的制造工艺设计，适用于高效率、高频开关应用。该器件具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，能够显著降低功耗并提升系统性能。
这款MOSFET属于N沟道类型，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等场景。其封装形式为TO-247，能够提供出色的散热性能。
最大漏源电压：1500V
连续漏极电流：35A
导通电阻：0.015Ω
栅极电荷：95nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃至+175℃
ELXJ350ELL820MF15D具备以下关键特性：
1. 高耐压能力，最大漏源电压高达1500V，适合高压环境下的应用。
2. 极低的导通电阻（0.015Ω），有助于减少传导损耗，提高整体效率。
3. 较小的栅极电荷（95nC），使得开关速度快且驱动简单。
4. 宽泛的工作温度范围（-55℃至+175℃），能够在极端环境下稳定运行。
5. TO-247封装设计提供了优秀的散热性能，非常适合大功率应用场景。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
该芯片主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 逆变器
4. 电机驱动
5. 太阳能逆变系统
6. 工业控制中的负载切换
7. 汽车电子中的高电压切换电路
由于其高耐压和低导通电阻的特点，ELXJ350ELL820MF15D在需要高效能量转换和高可靠性的场合表现出色。
IXTH35N150P
IRFP260N
STW83N150H
