时间：2025/6/17 19:40:24
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VNV20N07是一种N沟道增强型功率MOSFET，适用于多种开关和功率转换应用。该器件采用TO-220封装形式，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关能力等特性。其广泛应用于电源管理电路、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等领域。
VNV20N07的设计旨在提供高效能表现和卓越的热稳定性，适合在中高功率场景下使用。通过优化栅极电荷参数，它能够在高频开关应用中表现出较低的损耗。
最大漏源电压：70V
连续漏电流：20A
导通电阻：0.06Ω
栅源电压：±20V
总功耗：100W
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装类型：TO-220
1. 高击穿电压（70V），能够承受较大的漏源电压波动。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)为0.06Ω），可显著降低传导损耗。
3. 快速开关性能，具备较小的栅极电荷和输出电荷，从而减少开关时间及相关的损耗。
4. 热稳定性强，支持高达150°C的工作环境温度。
5. 具备反向恢复电荷低的特点，非常适合高频开关应用。
6. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
1. 开关电源（SMPS）设计中的功率开关元件。
2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关元件。
3. 电池保护电路中的负载开关。
4. 各种工业控制设备中的电机驱动器。
5. 电动车窗、座椅调节等汽车电子系统中的功率控制模块。
6. 用于逆变器和其他高压功率转换装置。
IRFZ44N, STP20NF06, FQP27N06L
