VNQ830PEP 时间：2025/4/29 10:31:52 阅读：23

VNQ830PEP 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 PowerFLAT5x6 封装，具有低导通电阻和高效率的特性，适用于消费电子、工业控制及汽车应用中的开关电源、DC-DC 转换器以及负载开关等场景。
　　这款 MOSFET 集成了先进的制程技术，能够显著降低功率损耗，并且支持高频开关操作，从而提高系统整体性能。

参数

最大漏源电压：40V
　　连续漏极电流：12A
　　导通电阻（典型值）：7.5mΩ
　　栅极电荷：22nC
　　输入电容：1330pF
　　开关速度：快速
　　工作温度范围：-55℃ 至 150℃

特性

VNQ830PEP 的主要特点是其非常低的导通电阻 (RDS(on))，这使得它在大电流应用中表现出色，同时能有效减少发热问题。此外，它的封装形式紧凑，有助于节省 PCB 空间。
　　该器件还具备优秀的热稳定性和电气稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持良好的性能。结合较低的栅极电荷与优化的开关特性，VNQ830PEP 可以实现高效的能量转换，非常适合需要高频工作的电路设计。

应用

VNQ830PEP 广泛应用于各种电力电子设备中，包括但不限于：
　　- 开关电源适配器
　　- 笔记本电脑和其他便携式电子设备中的 DC-DC 转换器
　　- 汽车电子系统中的负载控制
　　- 各类工业驱动器和电机控制
　　- 充电器和电池管理系统
　　其出色的效率和可靠性使其成为许多现代电子产品设计的理想选择。