UDZTE-1715B 时间：2025/12/25 11:19:09 阅读：23

UDZTE-1715B是一款由ROHM Semiconductor生产的齐纳二极管（Zener Diode），主要用于电压参考和电压箝位应用。该器件采用小型SOD-323（SC-89）封装，适合在空间受限的便携式电子设备中使用。其标称齐纳电压为15V，容差为±5%，能够在低功耗条件下提供稳定的参考电压。UDZTE-1715B具有良好的温度稳定性和快速响应特性，适用于各种模拟和数字电路中的稳压需求。
　　该齐纳二极管设计用于连续工作模式，最大功率耗散为200mW（在25°C环境下），并具备优良的长期稳定性。由于其小型化封装和可靠的电气性能，UDZTE-1715B广泛应用于消费类电子产品、通信设备、电源管理模块以及嵌入式系统中作为保护或基准元件。

参数

类型：齐纳二极管
　　极性：单路
　　齐纳电压（Vz）：15V @ 5mA
　　齐纳电压容差：±5%
　　测试电流（Iz）：5mA
　　最大功率耗散：200mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/包装：SOD-323（SC-89）
　　引脚数：2
　　反向漏电流（Ir）：≤1μA @ 12V
　　动态电阻（Zzt）：≤35Ω @ 5mA
　　温度系数：+8mV/°C（典型值）

特性

UDZTE-1715B齐纳二极管具备优异的电压调节性能和热稳定性，能够在宽温度范围内保持稳定的齐纳电压输出。其核心特性之一是采用了先进的硅半导体工艺制造，确保了器件在长时间运行下的可靠性与一致性。该器件的动态阻抗较低，在5mA测试电流下典型值不超过35Ω，有助于减少因负载变化引起的电压波动，从而提高系统的整体稳定性。
　　另一个显著特点是其良好的温度系数表现。虽然齐纳电压随温度变化而略有漂移，但该型号的温度系数控制在+8mV/°C左右，属于中等水平，适用于对温度敏感度要求不极端严苛的应用场景。此外，器件的反向漏电流极低，在12V偏压下不超过1μA，有效降低了待机状态下的功耗，特别适合电池供电设备。
　　SOD-323封装不仅体积小巧（约1.6mm × 1.2mm × 0.8mm），还具备良好的散热性能和机械强度，支持表面贴装自动化生产，提升了PCB布局的灵活性和组装效率。该封装符合RoHS环保标准，并通过了无铅焊接兼容性验证，适应现代绿色电子制造的需求。
　　UDZTE-1715B还具有较强的瞬态过压承受能力，可用于轻度的浪涌抑制和信号线路保护。尽管其主要功能是提供参考电压而非高能保护，但在配合限流电阻使用时，可有效防止轻微的电压尖峰对下游电路造成影响。综合来看，这款齐纳二极管在精度、尺寸、可靠性和成本之间实现了良好平衡，是中小功率稳压应用的理想选择。

应用

UDZTE-1715B常用于需要稳定电压参考的模拟电路中，例如运算放大器的偏置电路、ADC/DAC的基准源辅助电路以及传感器信号调理模块。在电源管理系统中，它可用于低压直流电源的输出电压监测与反馈控制回路中，确保系统在输入电压波动时仍能维持正常工作。
　　在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中，该器件被广泛用于内部子系统的电压箝位和电平转换保护，防止因瞬态电压过高导致IC损坏。同时，由于其低功耗特性，也适用于物联网节点、无线传感器网络等依赖电池长期运行的设备。
　　工业控制领域中，UDZTE-1715B可用于PLC输入模块的信号整形电路或接口电平匹配，提升系统抗干扰能力。此外，在通信设备的接口保护电路中，它可以与TVS二极管协同工作，增强ESD防护效果。
　　由于其15V的齐纳电压适中，也可用于LED驱动电路中的过压保护，或作为开关电源反馈环路的一部分，帮助实现闭环稳压控制。总之，该器件适用于任何需要紧凑型、低成本且可靠电压基准或保护功能的电子系统。