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NVMFD5C466NLWFT1G 发布时间 时间:2025/5/8 14:05:59 查看 阅读:5

NVMFD5C466NLWFT1G是一款高性能的非易失性存储器(Non-Volatile Memory,NVM)芯片,主要应用于需要高可靠性和快速数据存储的场景。该芯片采用了先进的闪存技术,支持大容量数据存储,并具备低功耗和高速读写的特点。其封装形式为紧凑型设计,适合嵌入式系统和便携式设备。
  该芯片具有强大的抗干扰能力和长时间的数据保存能力,适用于工业控制、消费电子以及物联网等领域。

参数

类型:非易失性存储器
  存储容量:512Mb
  接口标准:SPI
  工作电压:1.7V至3.6V
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  封装形式:WSON16
  数据保存时间:>20年
  擦写寿命:100,000次

特性

1. 高速SPI接口,支持高达80MHz的工作频率,提供卓越的数据传输性能。
  2. 支持四线串行外设接口(QSPI),允许更高效的数据交换。
  3. 内置ECC(Error Correction Code)引擎,可自动检测并纠正数据错误,提升数据可靠性。
  4. 具有扇区保护功能,防止未经授权的数据写入或擦除操作。
  5. 低功耗设计,在待机模式下电流消耗极低,非常适合电池供电设备。
  6. 提供多种省电模式,如深度掉电模式(Deep Power Down Mode),进一步降低能耗。
  7. 兼容多种主流微控制器和处理器,易于集成到现有系统中。

应用

NVMFD5C466NLWFT1G广泛应用于各种需要高性能存储解决方案的领域,包括但不限于:
  1. 工业自动化控制系统中的数据记录与参数存储。
  2. 消费类电子产品,如数码相机、智能音箱和家用电器。
  3. 物联网设备的数据日志存储及固件升级功能。
  4. 医疗设备中的患者数据记录和设备配置保存。
  5. 汽车电子系统中的导航地图和驾驶数据存储。
  6. 安防监控系统中的事件日志和关键信息备份。

替代型号

NVMFD5C466NLWFQ1G, NVMFD5C466NLWFT2G

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NVMFD5C466NLWFT1G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥21.39000剪切带(CT)1,500 : ¥10.52302卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 配置2 N-通道(双)
  • FET 功能-
  • 漏源电压(Vdss)40V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)14A(Ta),52A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)7.4 毫欧 @ 10A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 30μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)7nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)997pF @ 25V
  • 功率 - 最大值3W(Ta),40W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-PowerTDFN
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)