VNQ5E250AJTR-E 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的 N 沱道功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高效率的特点,广泛应用于电源管理、电机驱动和消费电子设备中。
这款 MOSFET 的封装形式为 PowerSSO-16,适合表面贴装技术(SMT),从而能够满足现代电子设备对小型化和高效能的需求。
最大漏源电压:50V
连续漏极电流:43A
导通电阻:2.8mΩ
栅极电荷:77nC
功耗:39W
工作温度范围:-55℃ 至 175℃
VNQ5E250AJTR-E 具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保了更高的转换效率和更低的功率损耗。
2. 高电流承载能力使其适用于大功率应用场景。
3. 快速开关速度减少了开关损耗,提升了整体性能。
4. 工作温度范围宽广,适应各种恶劣环境条件。
5. 封装设计紧凑,具备良好的散热性能。
6. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
该 MOSFET 主要应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 电池管理系统 (BMS),特别是电动汽车和储能系统。
4. 工业自动化控制和功率调节模块。
5. 消费类电子产品中的负载开关和保护电路。
VNQ5E250AJTR, IRF2807ZPBF, FDP15N50AE