时间：2025/6/19 4:34:26
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GA0402A820FXBAP31G 是一款由 GeneSiC Semiconductor 公司生产的碳化硅 (SiC) 基肖特基二极管。该器件采用先进的 SiC 材料技术，具有高效率、高耐压和低反向恢复时间等特性，广泛应用于高频开关电源、DC-DC 转换器、光伏逆变器等领域。
这款二极管的封装形式为 TO-247-3L，并具备出色的热性能和电气性能。由于其在高温下的稳定性和抗干扰能力，GA0402A820FXBAP31G 成为现代电力电子系统中的理想选择。
最大正向电压：1.9V
最大反向电压：1200V
平均正向电流：40A
峰值正向浪涌电流：400A
反向恢复时间：60ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-247-3L
GA0402A820FXBAP31G 的主要特点是其采用了碳化硅材料制造，这使其具有显著的优势：
1. 高耐压能力，可以承受高达 1200V 的反向电压。
2. 极低的反向恢复时间（仅 60ns），非常适合高频应用。
3. 正向导通压降较低（约 1.9V），有助于减少功率损耗。
4. 在高温环境下仍能保持稳定性能，最高结温可达 +175℃。
5. 封装坚固耐用，支持大电流连续运行。此外，其高可靠性设计使得该二极管能够在恶劣条件下长期工作。
GA0402A820FXBAP31G 适用于多种电力电子场景，包括但不限于以下领域：
1. 高频开关电源中的整流和续流功能。
2. 新能源领域如太阳能逆变器和风力发电设备中的关键元件。
3. 工业自动化设备中的电机驱动电路。
4. 电动汽车充电基础设施中的 DC-DC 转换模块。
5. 不间断电源 (UPS) 系统中的高效能量转换组件。
由于其卓越的性能和可靠性，GA0402A820FXBAP31G 是许多高性能电力电子系统的首选二极管。
GB0402A820FXBAP31G
GC0402A820FXBAP31G
