时间：2025/5/7 18:19:55
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NSD914F3T5G 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于需要高效开关和低导通损耗的场景。该器件采用 Trench 技术制造，具有较低的导通电阻 Rds(on) 和快速开关特性，适用于消费电子、通信设备和工业控制等领域的电源管理及负载切换。
NSD914F3T5G 采用 TO-263 (DPAK) 封装形式，具备出色的散热性能，可有效提高系统效率并降低功耗。
最大漏源电压 Vds：60V
最大栅源电压 Vgs：±20V
最大连续漏极电流 Id：8A
导通电阻 Rds(on)：3.5mΩ（在 Vgs=10V 时）
总功耗 Ptot：27W
工作温度范围 Tj：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-263 (DPAK)
NSD914F3T5G 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗，提升整体系统效率。
2. 快速开关能力，能够满足高频应用需求，同时保持较低的开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的耐用性。
4. 热稳定性强，能够在较宽的工作温度范围内可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子设计要求。
6. 封装结构紧凑，便于表面贴装工艺使用。
NSD914F3T5G 的典型应用场景包括：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器中的高端或低端开关。
3. 电池管理系统中的负载开关和保护电路。
4. LED 驱动器中的电流调节和调光控制。
5. 电机驱动器中的逆变桥臂开关。
6. 各种便携式设备的功率管理模块。
NSI914F3T5G, IRF7777, FDP020N06L
