时间：2025/5/16 17:59:30
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VNLD5160TR-E 是一款基于 N 沟道增强型 MOSFET 技术的低电压功率晶体管，广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。该器件采用先进的制程工艺制造，具有出色的热性能和电气性能，适合于汽车级应用。其封装形式为 PowerPAK SO-8（DDPAK），具备较低的热阻和高电流承载能力。
该晶体管通常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动、电池管理以及各种电源管理系统中。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：39A
导通电阻（Rds(on)）：2.2mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：37nC（典型值）
开关速度：快速开关
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：PowerPAK SO-8（DDPAK）
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低功耗并提高效率。
2. 高电流处理能力，能够承受高达 39A 的连续漏极电流。
3. 快速开关特性，减少开关损耗，适用于高频应用。
4. 符合 AEC-Q101 标准，确保在恶劣环境下的可靠性。
5. 较高的雪崩击穿能力和抗静电能力，提高了系统的鲁棒性。
6. 工作温度范围广，适应从低温到高温的各种应用场景。
1. 汽车电子中的负载开关和电机驱动控制。
2. DC-DC 转换器和降压/升压转换器中的功率开关。
3. 电池保护电路和能量回收系统。
4. 开关电源和 LED 驱动器中的功率调节。
5. 各类工业设备中的电源管理和信号切换。
VNQ0160ATR-E, IRF7846TRPBF, FDMF8160
