时间：2025/5/21 17:35:32
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SI9926CDY-T1-GE3 是一款由 Vishay 推出的 N 沟道增强型 MOSFET 功率晶体管。该器件采用 TrenchFET 第三代技术制造，旨在提供卓越的导通电阻和开关性能，适用于多种功率转换应用。其封装形式为 TO-252 (DPAK)，适合表面贴装工艺。
该型号在高频开关应用中表现出色，例如 DC-DC 转换器、负载点转换器、同步整流电路以及电机驱动等场景。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：24A
导通电阻（Rds(on)）：2.2mΩ
栅极电荷：28nC
输入电容：1300pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
SI9926CDY-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高电流处理能力，使其能够在高负载条件下稳定运行。
3. 快速开关速度，减少了开关损耗，并支持高频操作。
4. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代电子产品的合规性要求。
5. 可靠性高，具备优异的热稳定性和电气性能。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源中的同步整流功能。
2. 用于降压和升压型 DC-DC 转换器。
3. 工业电机控制和驱动电路。
4. 多种消费类电子产品中的功率管理模块。
5. 电池充电管理系统以及负载切换方案。
SI9927DY, SI4425DY
