时间：2025/5/12 8:53:02
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VNL5160S5TR-E 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用小型表面贴装封装（SOT-23），非常适合需要高效率和小尺寸的应用场景。其低导通电阻和出色的开关性能使其成为电池供电设备、负载切换、电源管理以及便携式电子产品的理想选择。
VNL5160S5TR-E 在低电压驱动条件下表现出色，支持逻辑电平直接驱动，减少了对外部驱动电路的需求。这不仅简化了设计，还降低了整体系统的复杂性和成本。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：1.4A
栅极阈值电压：1.2V 至 2.2V
导通电阻（Rds(on)）：典型值 0.18Ω @ Vgs=4.5V
功耗：375mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-23
VNL5160S5TR-E 的主要特点是其超低的导通电阻和紧凑的封装形式。在 Vgs = 4.5V 下，其 Rds(on) 典型值仅为 0.18Ω，这显著降低了导通损耗，提高了效率。此外，该 MOSFET 支持低至 1.2V 的栅极驱动电压，非常适合锂离子电池等低电压应用。
其 SOT-23 封装确保了更少的空间占用，这对于空间受限的设计至关重要。同时，VNL5160S5TR-E 提供高达 150°C 的工作温度范围，保证了器件在高温环境下的稳定运行。
VNL5160S5TR-E 广泛应用于各类便携式电子产品中，包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑及其它消费类电子产品中的负载开关、电池管理模块和 DC-DC 转换器。
此外，它也适用于工业控制、通信设备中的信号切换与保护电路。由于其高效的开关特性和低静态电流消耗，这款 MOSFET 还被用于 LED 驱动器、电机控制以及音频放大器等领域。
VNLB5160XS5TR-E
