LN2266PA2MR 时间：2025/7/9 23:47:05 阅读：19

LN2266PA2MR 是一款高性能的 N 治金场效应晶体管（NMOS），通常用于功率转换、电机驱动和负载开关等应用。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提高系统效率并减少功耗。
　　这款 NMOS 器件支持大电流操作，并在较宽的工作电压范围内表现出色。它还具备良好的热稳定性和可靠性，适合工业、汽车及消费类电子产品的多种应用场景。

参数

型号：LN2266PA2MR
　　类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：48A
　　导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ (典型值，在 Vgs=10V 时)
　　总功耗(Ptot)：320W
　　结温范围(Tj)：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-247

特性

LN2266PA2MR 具有以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻，有助于降低导通损耗并提升整体效率。
　　2. 快速开关性能，适用于高频应用环境。
　　3. 高电流承载能力，满足大功率需求。
　　4. 较宽的工作电压范围，适应性强。
　　5. 出色的热稳定性，确保长时间运行的可靠性。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代设计中。
　　这些特点使得 LN2266PA2MR 成为众多高功率密度解决方案的理想选择。

应用

LN2266PA2MR 的典型应用包括但不限于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器或主开关元件。
　　2. 电机控制与驱动电路，例如无刷直流电机（BLDC）控制器。
　　3. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
　　4. 新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统的功率管理模块。
　　5. 电动车（EV）和混合动力车（HEV）中的电池管理系统（BMS）及电机驱动器。
　　其强大的性能和可靠性使其非常适合需要高效能量转换和精确控制的应用场景。