时间：2025/4/28 17:33:52
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VNHD7008AYTR 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的 N 沟道功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 HD 封装。该器件具有极低的导通电阻和出色的开关性能，适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等应用领域。
由于其封装紧凑且性能优越，VNHD7008AYTR 成为在空间受限应用中实现高效能设计的理想选择。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：8.9A
导通电阻（典型值）：2.2mΩ
栅极电荷（典型值）：14nC
总电容（pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：PowerFLAT 5x6 HD
VNHD7008AYTR 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高速开关性能，能够支持高频操作，从而减小无源元件的尺寸。
3. 紧凑型封装，适合对空间要求较高的应用环境。
4. 较宽的工作温度范围，确保在极端条件下仍能稳定运行。
5. 优异的热性能，有助于改善散热管理。
该功率 MOSFET 广泛应用于以下场景：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流。
2. DC-DC 转换器的核心开关元件。
3. 电池管理系统中的负载开关。
4. 各类电机驱动电路中的功率级开关。
5. 工业控制设备中的功率转换模块。
VNQ0080HT, IRLZ44N, FDN340P
