ERD75-02是一款由东芝(Toshiba)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率、高频率的开关应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术,具有低导通电阻(Rds(on))和快速开关性能,适用于工业电源、DC-DC转换器、电机驱动和各种高效率电源系统。ERD75-02封装形式为TO-220,具有良好的散热性能,确保在高负载条件下仍能稳定工作。该器件广泛用于需要高可靠性和高效率的电子设备中,如电源适配器、逆变器和电机控制模块。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(Id):75A
漏源电压(Vds):200V
栅源电压(Vgs):±30V
导通电阻(Rds(on)):最大为0.022Ω(在Vgs=10V时)
工作温度范围:-55°C至175°C
封装类型:TO-220
最大功耗(Pd):200W
栅极电荷(Qg):约180nC
ERD75-02是一款高性能功率MOSFET,采用了东芝先进的沟槽式结构技术,具有出色的导通和开关性能。该器件的低导通电阻(Rds(on))确保了在高电流工作状态下仍能保持较低的功率损耗,从而提高整体系统效率。此外,其高耐压特性(200V漏源电压)使其适用于中高功率的电源系统。ERD75-02具有良好的热稳定性和高可靠性,能够在高温环境下稳定运行,适用于苛刻的工业环境。该器件的高速开关能力使其在高频应用中表现出色,如DC-DC转换器和电机控制电路。TO-220封装提供了良好的散热性能,确保长时间高负载工作下的稳定性。另外,ERD75-02还具备较强的抗过载能力和抗静电能力,提高了器件在复杂电磁环境下的耐用性。
ERD75-02适用于多种高功率和高频率的应用场景,包括工业电源、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、UPS(不间断电源)、电源适配器和电池管理系统。由于其高效率和高可靠性,它也常用于电动汽车充电设备、太阳能逆变器以及各种工业自动化控制设备中。在这些应用中,ERD75-02能够提供稳定的功率控制和高效的能量转换,有助于提升系统整体性能和能效。
TK75E02K,TMOSFET TPHR7502LC,TOSHIBA TK75E02K