时间：2025/5/9 9:06:21
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VND830LSP 是一款 N 沱道功率场效应晶体管（MOSFET），采用 SOT-23 封装形式。该器件主要设计用于低电压、低功耗应用场合，具有低导通电阻和高开关速度的特点。它适合应用于便携式设备、电池管理系统、负载开关以及各类消费类电子产品中。
由于其小尺寸和高效性能，VND830LSP 成为许多需要空间优化和高性能的电路的理想选择。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：1.6A
导通电阻：0.19Ω
栅极电荷：1.5nC
工作结温范围：-55℃ to 150℃
VND830LSP 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，这有助于减少功率损耗并提高效率。
2. 高开关速度，能够快速响应动态负载变化。
3. 符合 RoHS 标准，环保无铅。
4. 耐热增强型封装设计，确保在高温环境下的可靠性。
5. 支持表面贴装技术（SMD），便于自动化生产流程。
6. 小型化封装，节省 PCB 空间，非常适合紧凑型设计。
VND830LSP 广泛应用于各种电子设备中，具体应用场景包括：
1. 手机充电器及适配器中的负载开关。
2. 消费类电子产品的电源管理模块。
3. 可穿戴设备和物联网设备中的电源切换。
4. 电池保护电路，例如锂电池保护板。
5. LED 驱动电路中的开关元件。
6. 各种小型 DC/DC 转换器和逆变器中的功率开关元件。
VNQ0005, BSS138, AO3400
