时间：2025/10/11 8:20:45
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14FLZ-SM2-GAN-TB(LF)(SN) 是一款由 Littelfuse 生产的瞬态电压抑制二极管阵列（TVS Array），专为高速数据接口和敏感电子元件提供静电放电（ESD）保护而设计。该器件采用先进的半导体工艺制造，具备低电容、快速响应时间和高可靠性等优点，适用于多种消费类电子产品和通信设备中的信号线路保护。其封装形式为小型化的 SOD-882（也称 DFN1006-2），尺寸紧凑，适合高密度 PCB 布局，尤其在空间受限的应用中表现出色。该型号符合 RoHS 指令要求，并带有无卤素（LF）和锡铅兼容表面处理（SN）标识，确保了环保合规性和良好的焊接性能。14FLZ-SM2-GAN-TB(LF)(SN) 主要用于保护单线信号路径免受 IEC 61000-4-2 Level 4（±15kV 接触放电）等严苛 ESD 事件的影响，同时对系统整体信号完整性影响极小。
器件类型：TVS 二极管阵列
通道数：1
工作电压（VRWM）：14V
击穿电压（VBR）：15.6V（最小）
最大钳位电压（VC @ IPP）：23.8V（典型值，IPP = 1A）
峰值脉冲电流（IPP）：1A
电容值（C）：0.45pF（典型值，f = 1MHz）
漏电流（IR）：≤1μA（最大）
ESD 耐压能力：±15kV（IEC 61000-4-2，接触放电）
反向工作电压（VRWM）：14V
封装类型：SOD-882（DFN1006-2）
安装方式：表面贴装（SMD）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C（TJ）
14FLZ-SM2-GAN-TB(LF)(SN) 的核心特性之一是其超低结电容，典型值仅为 0.45pF，在高频信号线路中几乎不会引入额外的负载效应或信号失真，因此非常适合用于 USB 2.0、HDMI、MIPI、触摸屏控制器、RF 天线开关等高速模拟或数字接口的 ESD 保护。这种低电容设计得益于内部采用的高性能硅 PIN 二极管结构与优化的芯片布局，能够在不影响信号带宽的前提下实现有效防护。
另一个关键优势是其卓越的 ESD 抑制能力，能够承受高达 ±15kV 的接触放电（依据 IEC 61000-4-2 国际标准），并能快速响应纳秒级的瞬态过压事件，将危险电压钳位于安全水平以下，从而防止后端 IC 因静电击穿而损坏。器件的钳位电压在 1A 浪涌电流下仅为 23.8V 左右，远低于大多数 CMOS 器件的击穿阈值，确保被保护电路始终处于安全工作区。
此外，该 TVS 阵列具有极低的漏电流（≤1μA），即使在高温环境下也能保持稳定的电气性能，避免因漏电导致的功耗增加或信号偏移问题。其采用的 SOD-882 小型封装不仅节省 PCB 空间，还具备优良的热导性和机械强度，适合自动化贴片生产流程。器件的工作结温可达 +150°C，适应严苛工业环境下的长期运行需求。整体设计兼顾了高性能、小型化与高可靠性，使其成为现代便携式电子设备的理想选择。
该器件广泛应用于各类需要高等级 ESD 保护的便携式消费电子产品中，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备（如智能手表和健身追踪器）、无线耳机等，主要用于保护摄像头模组、显示屏排线、传感器接口、天线馈线以及音频输入/输出端口等敏感节点。在通信领域，它可用于以太网 PHY 接口、USB 数据线（特别是 USB OTG 和高速模式）、I2C、SPI 和 MIPI DSI/CSI 总线的瞬态防护，防止插拔过程中产生的静电损坏主控芯片。此外，在工业控制设备、医疗监测仪器和汽车信息娱乐系统中，14FLZ-SM2-GAN-TB(LF)(SN) 也可作为辅助保护元件，提升系统的电磁兼容性（EMC）表现和现场稳定性。由于其低电容和快速响应特性，特别适合用于 GHz 级别的射频信号路径保护，如 Wi-Fi/BT 模块和 GNSS 接收天线。其微型封装也使得它能在高密度多层板设计中灵活布设，满足现代电子产品轻薄化的发展趋势。
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"14FLZ-SM2-GAN",
"SP1414-01UTG",
"RCLAMP0524P",
"TPD1E10B06",
"ESD7082TT1G"
]
