时间：2025/5/7 17:52:03
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VND7NV04TR-E 是一款高性能、低导通电阻的 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它适用于各种开关和功率管理应用，其优化设计使得该器件能够在高频和高效率场景中表现出色。VND7NV04TR-E 的封装形式为 TO-263 (D2PAK)，这使其具备良好的散热性能，并且易于集成到印刷电路板中。
VND7NV04TR-E 在消费电子、工业设备以及汽车电子等领域得到了广泛应用，特别是在需要低导通损耗和快速开关速度的场合。
最大漏源电压(Vds)：40V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：18A
脉冲漏极电流(Ip)：54A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ（在 Vgs=10V 时）
栅极电荷(Qg)：49nC
总电容(Ciss)：3220pF
开关时间：ton=22ns, toff=19ns
工作结温范围(Tj)：-55°C 至 +175°C
VND7NV04TR-E 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，可以有效降低传导损耗，提高整体系统效率。
2. 快速开关能力，适用于高频开关应用。
3. 较高的漏极电流承载能力，能够支持大电流负载。
4. 逻辑电平驱动兼容性，简化了与微控制器或数字信号处理器的接口设计。
5. 高可靠性和耐用性，适合恶劣环境下的长期运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅封装。
VND7NV04TR-E 被广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的同步整流。
2. 电机驱动和逆变器控制。
3. 工业自动化设备中的功率开关。
4. 汽车电子系统中的负载切换。
5. UPS 系统和电池管理系统中的保护和切换功能。
6. 大功率 LED 驱动和照明控制。
7. 各种需要高效功率转换和低损耗的应用场景。
VND7N04T-E, IRF7744Z, FDN337N
