时间：2025/3/24 9:06:46
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VND7040AJTR 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-263 封装形式。该器件具有低导通电阻和高电流处理能力，适用于多种开关应用场合，如直流电机驱动、开关电源和负载切换等。其设计注重高效能和稳定性，适合在中高压环境下工作。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：40A
导通电阻（典型值）：8mΩ
栅极电荷：39nC
开关时间：开启时间 19ns，关断时间 36ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
VND7040AJTR 的主要特点是其低导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高效率。此外，它具备快速的开关性能，能够有效减少开关损耗，从而提升系统整体效能。其高电流承载能力和宽温度范围使其非常适合工业级和汽车级应用。同时，TO-263 封装提供了良好的散热性能，增强了长期运行中的可靠性。
该器件还具有较高的雪崩击穿能量，能够在异常条件下提供额外的保护。此外，它的静态和动态参数经过优化，确保在高频应用中表现稳定。
这款 MOSFET 广泛应用于需要高效功率转换的领域，例如开关模式电源 (SMPS)、直流-直流转换器、电池管理系统 (BMS)、电动工具驱动电路以及各种工业控制设备。由于其出色的电气性能和热性能，它也非常适合用于汽车电子系统，如引擎控制单元 (ECU) 和车身控制模块 (BCM)。
VND7040ATR, VND7040DSTR
