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DMA50P1600HB 发布时间 时间:2025/8/6 0:09:08 查看 阅读:22

DMA50P1600HB是一款由东芝(Toshiba)生产的功率MOSFET模块,广泛应用于高功率电子设备中,如工业电源、逆变器、电机驱动器和UPS系统。该模块采用高性能的硅基技术,具有优异的导通和开关特性,适用于需要高效率和高可靠性的应用场景。

参数

类型:功率MOSFET模块
  额定电压:1600V
  额定电流:50A
  封装形式:双列直插式封装(DIP)
  工作温度范围:-40°C至+150°C
  导通电阻(Rds(on)):典型值为0.35Ω
  封装尺寸:根据制造商规格
  引脚数量:具体根据封装形式而定
  功率耗散:根据散热条件和应用环境有所不同

特性

DMA50P1600HB具有多项显著的技术特性,确保其在高功率应用中的稳定性和高效性。首先,其高耐压能力(1600V)使其适用于高压电源转换和电机控制等要求苛刻的应用。其次,该模块的低导通电阻(Rds(on))减少了导通损耗,从而提高了系统的整体效率。
  此外,DMA50P1600HB采用先进的封装技术,提供了良好的热管理和机械稳定性,能够有效散热,延长设备的使用寿命。模块的结构设计也优化了电磁干扰(EMI)性能,减少了高频开关操作中的噪声干扰。
  该器件还具备较高的短路耐受能力和过热保护功能,进一步增强了其在工业环境中的可靠性。由于其坚固的设计和优异的电气性能,DMA50P1600HB适合在恶劣的工业条件下运行,确保系统在高负载情况下的稳定性和安全性。

应用

DMA50P1600HB主要用于高功率工业电子设备中,包括但不限于以下应用领域:工业电机驱动器和变频器,用于控制大型电机的运行;UPS不间断电源系统,确保电力中断时的稳定供电;太阳能逆变器和储能系统,实现高效的能量转换和管理;电焊机和高频电源设备,提供稳定的电流输出;电动汽车充电设备,支持高电压和大电流的快速充电需求。此外,该模块也可用于轨道交通系统中的牵引变流器和制动系统,满足高可靠性要求。

替代型号

TK50P1600HB,TM50P1600HB

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DMA50P1600HB参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格30 : ¥47.82133管件
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • 技术标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)1600 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)50A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.3 V @ 50 A
  • 速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏40 μA @ 1600 V
  • 不同?Vr、F 时电容19pF @ 400V,1MHz
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商器件封装TO-247(IXTH)
  • 工作温度 - 结-55°C ~ 175°C