型号：K4T51163QE-ZCF7
　　制造商：Samsung
　　产品系列：DDR3 SDRAM
　　存储容量：8 Gb
　　组织结构：512M x 16
　　工作电压：1.35V / 1.5V（VDD/VDDQ）
　　接口类型：DDR3
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：96-ball
　　最大时钟频率：800 MHz（等效1600 Mbps数据速率）
　　工作温度范围：0°C 至 95°C（Tc）
　　刷新周期：64ms / 8192行 = 7.8μs
　　突发长度：BL8, BC4, BC8
　　CAS等待周期（CL）：可配置，典型值为CL11
　　内部Bank数量：8
　　预充电命令支持：支持
　　ZQ校准：支持
　　ODT（片上终端）：支持
　　掉电模式：支持
　　数据掩码（DQM）：支持

K4T51163QE-ZCF7作为一款先进的DDR3 SDRAM芯片，具备多项关键特性以满足现代电子系统对高性能与低功耗的双重需求。首先，其采用800MHz时钟频率（1600Mbps数据速率），支持双倍数据速率技术，在每个时钟周期的上升沿和下降沿均传输数据，显著提升了数据吞吐能力，适用于高带宽应用如视频处理、图像渲染和网络数据包缓冲等场景。
　　其次，该芯片支持两种工作电压模式——标准1.5V和低电压1.35V（DDR3L兼容），可根据系统电源设计灵活选择，有效降低动态功耗和热耗散，特别适合使用电池供电或对能效敏感的便携式设备。这种双电压兼容性使得K4T51163QE-ZCF7在向后兼容性和节能方面表现出色。
　　再者，芯片内部集成8个独立的Bank，允许交替访问不同的存储区域，从而提高并发操作效率，减少等待时间，优化整体访问延迟。同时支持多种突发长度（BL8、BC4、BC8）和突发类型（顺序或交错），用户可通过模式寄存器进行配置，以匹配具体应用的数据访问模式，提升系统效率。
　　此外，K4T51163QE-ZCF7具备完整的电源管理功能，包括自动刷新、自刷新、深度掉电模式等。在自刷新模式下，芯片可利用内部计数器维持数据完整性而无需外部时钟，极大降低了待机状态下的功耗，非常适合需要长时间保持数据但间歇工作的系统。ZQ校准机制则通过外部参考电阻实现输出驱动阻抗和ODT电阻的动态校正，确保在温度和电压变化条件下仍能维持良好的信号完整性，防止反射和串扰问题，提升系统稳定性和可靠性。
　　最后，该器件符合RoHS环保标准，采用无铅封装工艺，适用于自动化贴片生产线，具有良好的可制造性和长期供货保障。

K4T51163QE-ZCF7因其高密度、高速度和低功耗特性，被广泛应用于多种需要高效内存支持的电子系统中。常见应用领域包括但不限于：网络通信设备（如路由器、交换机、基站基带单元），用于缓存大量数据包和实现快速转发；工业控制与自动化系统，用于运行实时操作系统和处理多任务调度；消费类电子产品，如智能电视、机顶盒、数字录像机（DVR），支持高清视频解码与图形界面渲染；嵌入式计算平台，例如基于ARM架构的应用处理器模组（如Exynos、i.MX系列），为其提供主内存支持；医疗成像设备中的图像缓冲存储；以及部分轻量级服务器模块或存储控制器中作为临时数据缓存使用。此外，由于其具备良好的温度适应性和稳定性，也适用于一些对环境要求较高的户外或工业级应用场景。

K4B1G1646F-BCK0
　　K4B1G1646E-BCK9
　　MT41K128M16JT-15E:K
　　EM63A165TS-25H