VND5N07TR 时间：2025/6/12 14:40:37 阅读：9

VND5N07TR 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，能够有效提升系统效率并降低功耗。
　　这款 MOSFET 的封装形式为 TO-263（DPAK），适合表面贴装应用，同时提供良好的散热性能。其额定电压为 70V，适用于中低压场景下的各种电子设备。

参数

最大漏源电压：70V
　　连续漏极电流：5A
　　导通电阻：40mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
　　栅极电荷：11nC（典型值）
　　开关速度：快速
　　工作结温范围：-55℃ 至 +150℃

特性

1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可显著减少传导损耗，提高系统效率。
　　2. 快速的开关速度使得该器件非常适合高频应用环境。
　　3. 高雪崩能量能力增强了其在异常条件下的鲁棒性。
　　4. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
　　5. 表面贴装封装设计简化了 PCB 布局并提高了可靠性。
　　6. 广泛的工作温度范围支持其在极端环境下稳定运行。

应用

VND5N07TR 主要用于以下领域：
　　1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流器。
　　2. 电池管理系统 (BMS) 的负载开关。
　　3. 电机驱动电路中的功率级开关。
　　4. 各种消费类电子产品中的保护电路。
　　5. 工业控制设备中的信号隔离与功率切换。
　　6. LED 照明驱动中的电流调节组件。