类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：100A
　　导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：DFN（双侧引脚无引线封装）

KTC5701ED具有多项优异的电气和机械特性，使其在功率电子应用中表现出色。
　　首先，该MOSFET的低导通电阻（Rds(on)）为4.5mΩ，显著降低了在高电流下的导通损耗，提高了整体系统的效率。这使其非常适合用于高频开关应用，如同步整流器和DC-DC转换器。
　　其次，KTC5701ED支持高达100A的连续漏极电流，具备强大的电流承载能力，适用于高功率负载的控制。其高电流能力和低热阻设计确保了在高温环境下仍能稳定运行。
　　此外，该器件采用了先进的沟槽栅极技术，提升了栅极控制的灵敏度和响应速度，从而实现了更快的开关动作，减少了开关损耗。
　　其DFN封装不仅提供了优良的散热性能，还支持表面贴装工艺（SMT），便于自动化生产和高密度PCB布局。封装的双侧引脚设计增强了电流分布的均匀性，减少了引线电阻和电感效应，提高了整体电路的稳定性和可靠性。
　　KTC5701ED还具备良好的抗静电能力（ESD保护），能够在制造、运输和使用过程中更好地抵御静电放电的损害，提升器件的耐用性和稳定性。
　　综上所述，KTC5701ED凭借其低导通电阻、高电流能力、优异的热管理和可靠的封装设计，成为多种高要求功率应用的理想选择。

KTC5701ED广泛应用于多种功率电子系统中，尤其是在需要高效能和高可靠性的场景下。常见应用包括电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、负载开关控制、工业自动化设备以及电动工具等。由于其高电流承载能力和低导通损耗，KTC5701ED特别适用于需要高效能转换和管理的电源模块。在电动汽车和新能源系统中，它也常用于电池充放电控制和功率调节电路中。此外，在工业控制系统中，该MOSFET可用于高频率开关操作，以实现精确的电机控制或电源调节。

SiR142DP-T1-GE3, IPB013N04NGATMA1