时间：2025/5/9 9:48:21
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BTM7751G是一款由英飞凌（Infineon）推出的高效能、低功耗的N沟道增强型功率MOSFET。这款器件主要应用于汽车电子领域，采用TO-Leadless (TOLL) 封装形式，具有极低的导通电阻和出色的热性能，能够满足现代汽车系统对紧凑设计和高效率的需求。
该器件在开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及其他功率管理应用中表现出色，尤其适用于需要频繁开关和高电流承载能力的场景。
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：98A
导通电阻（典型值）：1.3mΩ
栅极电荷（典型值）：142nC
工作结温范围：-55℃ to 175℃
封装类型：TOLL
最大功耗：231W
BTM7751G具备以下关键特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提升系统效率。
2. 高电流承载能力，适合大功率应用场景。
3. 优化的栅极电荷设计，支持快速开关操作。
4. 超越业界标准的热性能，确保在高温环境下稳定运行。
5. 符合AEC-Q101标准，适用于严苛的汽车环境。
6. 无铅且符合RoHS规范，环保友好。
7. 紧凑的TOLL封装，节省PCB空间并改善散热表现。
BTM7751G广泛应用于以下领域：
1. 汽车电子中的DC-DC转换器和电机驱动。
2. 功率分配与负载切换控制。
3. 开关电源和逆变器。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 高效节能的电池管理系统（BMS）。
6. 大电流保护电路以及各类高压开关应用。
BTM7750G
