时间：2025/5/9 8:53:22
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VND5E050MK 是一款基于 N 沯道 MOSFET 技术的功率晶体管，主要应用于高频开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等场景。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够显著提高系统效率并降低能耗。
其封装形式为 TO-252(DPAK)，有助于提升散热性能并简化 PCB 设计。
最大漏源电压(Vds)：50V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：13A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
总功耗(Ptot)：28W
工作结温范围(Tj)：-55°C 至 +175°C
VND5E050MK 提供了低导通电阻特性，这使其在高负载应用中表现出色，同时减少了能量损耗。此外，其快速开关能力有助于降低开关损耗，在高频应用中尤为关键。
由于采用了先进的制程工艺，该器件能够在极端温度范围内稳定运行，并具备出色的抗电磁干扰能力。
此外，TO-252 封装设计不仅紧凑而且坚固，非常适合空间受限的设计环境。
这款功率 MOSFET 广泛应用于多种领域，包括但不限于：
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关元件。
2. 各种 DC-DC 转换器模块的核心组件。
3. 电机驱动电路中的功率控制单元。
4. 工业自动化设备中的负载切换功能。
5. 汽车电子系统内的电池管理部分。
VNQ0190G, IRFZ44N, FDP177N10AE
