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LC3518BL-15 发布时间 时间:2025/9/21 10:53:42 查看 阅读:7

LC3518BL-15是一款由LRC(乐山无线电)生产的N沟道场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于电源管理、开关电路和功率转换等领域。该器件采用先进的平面技术制造,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等优点。LC3518BL-15特别适用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电设备中的高效能开关应用。其封装形式为SOT-23,属于小型表面贴装器件,便于在紧凑型电子产品中实现高密度布局。该MOSFET能够在较低的栅极电压下工作,支持逻辑电平驱动,适合与微控制器或其他数字信号源直接接口,无需额外的电平转换电路。由于其出色的电气性能和可靠性,LC3518BL-15被广泛用于消费电子、工业控制和通信设备中。

参数

型号:LC3518BL-15
  制造商:LRC(乐山无线电)
  器件类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(VDS):20V
  最大连续漏极电流(ID):4.6A
  最大脉冲漏极电流(IDM):18A
  最大栅源电压(VGS):±12V
  阈值电压(Vth):典型值1.1V,范围0.8V~1.4V
  导通电阻RDS(on):当VGS=4.5V时,≤35mΩ;当VGS=2.5V时,≤50mΩ;当VGS=1.8V时,≤75mΩ
  输入电容(Ciss):典型值500pF
  输出电容(Coss):典型值190pF
  反向传输电容(Crss):典型值50pF
  功耗(PD):1.25W
  工作结温范围(Tj):-55℃ ~ +150℃
  存储温度范围:-55℃ ~ +150℃
  封装形式:SOT-23

特性

LC3518BL-15具备优异的开关特性和低导通损耗,使其在低电压、高效率的应用场景中表现出色。其核心优势之一是超低的导通电阻RDS(on),在VGS=4.5V条件下可低至35mΩ,这显著降低了导通状态下的功率损耗,提升了系统整体效率。即使在更低的驱动电压如1.8V或2.5V下,该器件仍能保持较低的导通电阻,确保在电池供电或低压逻辑控制环境下稳定运行。
  该MOSFET采用了先进的沟槽工艺技术,优化了载流子迁移路径,提高了单位面积的电流承载能力。同时,器件具有较快的开关速度,输入电容和反向传输电容较小,有助于减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰,适用于高频开关电源设计。此外,LC3518BL-15具有良好的热稳定性,在高温环境下仍能保持稳定的电气性能,避免因温度升高导致的性能下降或失效问题。
  器件的阈值电压较低,通常在0.8V至1.4V之间,使得它能够兼容3.3V、2.5V甚至1.8V的逻辑电平信号,可直接由微控制器、DSP或门电路驱动,简化了外围驱动电路的设计。SOT-23封装不仅体积小巧,节省PCB空间,还具备较好的散热性能,适用于便携式设备和高集成度模块。
  LC3518BL-15通过了严格的可靠性测试,包括高温反向偏压(HTRB)、高温栅极偏压(HTGB)和温度循环等,确保在恶劣工作环境下的长期稳定性。其无铅环保设计也符合RoHS指令要求,适用于绿色电子产品制造。综合来看,这款MOSFET在性能、尺寸和成本之间实现了良好平衡,是中小功率开关应用的理想选择。

应用

LC3518BL-15主要应用于需要高效、小型化和低成本解决方案的电子系统中。常见用途包括便携式电子设备中的电源开关,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电池管理电路,用于控制电池对负载的供电通断。此外,它也广泛用于DC-DC升压或降压转换器中作为同步整流开关,提高转换效率并降低发热。
  在LED驱动电路中,LC3518BL-15可用于恒流调节或开关控制,实现对LED亮度的精确调控。其快速响应能力和低导通电阻有助于提升调光精度和系统能效。在电机驱动领域,特别是微型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中,该器件可用于实现正反转控制和能耗制动功能。
  由于其逻辑电平兼容特性,LC3518BL-15常被用作微控制器与高功率外设之间的接口开关,例如驱动继电器、传感器模块或加热元件。在各类消费类电子产品如路由器、机顶盒、USB集线器中,它可作为过流保护或热插拔控制的开关元件。
  工业控制领域中,该MOSFET可用于PLC输入输出模块、传感器信号调理电路和低功耗执行机构的驱动。此外,在电源适配器、充电器和无线充电模块中,LC3518BL-15也可作为次级侧同步整流管使用,替代传统肖特基二极管以提升效率。总之,凡涉及低电压、中等电流、高频率开关操作的场合,LC3518BL-15均是一个可靠且经济的选择。

替代型号

SI2302,DMG2302U,MCH3514,FDG3518

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