类型：栅极驱动IC
　　通道数：1通道（单通道）
　　输入电压范围：2.7V ~ 5.5V
　　输出电流能力：峰值拉电流/灌电流可达2A以上
　　驱动能力：支持快速上升和下降时间，典型值小于20ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　电源电压（VDD）：最高支持25V
　　隔离耐压：集成电平转换，支持高侧浮动电压达+600V以上
　　传播延迟：典型值约50ns，匹配性良好
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：≥100kV/μs
　　封装形式：SOP-8 或类似小型化表面贴装封装
　　技术平台：适用于Si MOSFET及增强型GaN HEMT驱动

BM02(3)B-ADHSS-GAN-ETB 具备多项关键特性，使其成为高性能功率转换系统中理想的栅极驱动解决方案。首先，该器件内置了高耐压电平移位电路，能够实现低侧逻辑信号到高侧浮动输出的有效转换，支持高达600V以上的浮动电压操作，适用于半桥拓扑结构中的高端驱动场景。这一特性使得它广泛应用于AC-DC、DC-DC以及逆变器系统中。
　　其次，该驱动器针对GaN器件进行了优化设计。GaN晶体管因其超高的开关速度和低寄生参数，在高频高效电源系统中备受青睐，但同时也对驱动器提出了更严苛的要求，例如更低的传播延迟失配、更高的CMTI性能以及精确的阈值控制。BM02(3)B-ADHSS-GAN-ETB 提供了优异的共模瞬态抗扰度（CMTI），通常大于100kV/μs，能够在高dV/dt环境下保持稳定运行，避免因噪声引起的误触发。
　　第三，该芯片集成了多重保护功能，包括欠压锁定（UVLO），确保在电源电压未达到安全水平前不输出驱动信号；同时具备米勒钳位功能，在关断状态下主动将栅极电压钳位至地，抑制由于高dV/dt导致的米勒效应引起的误导通现象，这对于提高系统可靠性至关重要。
　　此外，该器件还具有低传播延迟和良好的延迟匹配特性，确保上下桥臂驱动信号之间的时序一致性，减少死区时间误差，从而提升整体效率并降低直通风险。输出级采用图腾柱结构，具备较强的拉灌电流能力，可快速充放电栅极电容，实现纳秒级的开关响应。
　　最后，BM02(3)B-ADHSS-GAN-ETB 采用小型化SOP封装，便于自动化贴片生产，并通过内部优化布局降低了寄生电感和电磁干扰，适合紧凑型高密度电源模块设计。整体设计兼顾性能、可靠性和易用性，是现代高效率电力电子系统的优选驱动方案之一。

BM02(3)B-ADHSS-GAN-ETB 主要应用于需要高可靠性、高效率和高频率工作的电力电子系统中。典型应用场景包括但不限于：工业用伺服驱动器与变频器中的IGBT或MOSFET栅极驱动；太阳能光伏逆变器中的DC-AC转换电路，特别是在使用GaN器件以实现更高转换效率的设计中；电动汽车车载充电机（OBC）和直流快充桩中的功率级驱动环节；服务器电源、通信电源等高密度数字电源系统中用于同步整流或LLC谐振变换器的高端驱动；以及各类高频DC-DC转换器模块，尤其是采用半桥或全桥拓扑结构的拓扑中作为高边开关的驱动单元。此外，由于其具备出色的噪声抑制能力和高温工作稳定性，也适用于存在强烈电磁干扰的工业环境或高温运行条件下的控制系统。在电机控制领域，该器件可用于驱动三相逆变桥中的上桥臂，配合控制器实现精准的PWM调制，保障电机平稳高效运行。总之，凡是需要将低压控制信号安全、可靠地传递至高压侧功率开关的应用，BM02(3)B-ADHSS-GAN-ETB 都是一个高度集成且性能优越的选择。

BM01(3)B-ADHSS-GAN-ETB
　　BV1H065GUF-W