时间：2025/5/7 12:52:20
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BSC093N15NS5 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 PDFN5x6-8 封装形式。该器件属于英飞凌的 OptiMOS 系列，专为高效率开关应用而设计。它具有极低的导通电阻 (Rds(on)) 和优化的开关性能，适用于消费电子、工业以及通信领域的多种应用。这种 MOSFET 能够显著降低功耗并提高系统的整体效率。
最大漏源电压：150V
连续漏极电流：9.3A
导通电阻：27mΩ
栅极电荷：24nC
开关速度：快速
封装类型：PDFN5x6-8
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
BSC093N15NS5 具有出色的热性能和电气性能，其主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够在高电流条件下减少导通损耗。
2. 高能效设计，适合高频开关应用。
3. 优化的栅极电荷参数，可有效降低驱动损耗。
4. 强化了短路保护能力，提升了系统可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
6. 超紧凑封装设计，节省 PCB 空间。
这款 MOSFET 广泛应用于各种需要高效功率转换和开关控制的场景，典型应用包括：
1. 开关电源 (SMPS)。
2. DC-DC 转换器。
3. 电机驱动与控制。
4. 电池管理系统 (BMS)。
5. 逆变器和 UPS 系统。
6. 工业自动化设备中的功率管理模块。
BSC096N15NS5
BSC100N15NS5
