ME6203A44M3G是一款高性能的存储芯片,属于DDR3 SDRAM系列。该芯片广泛应用于需要高带宽和低功耗的电子设备中,例如服务器、网络设备和个人电脑等。其主要特点是高速数据传输能力和较低的工作电压,有助于提升系统性能并减少能耗。
DDR3技术通过8n预取架构和内部DLL(延迟锁相环)设计,显著提高了数据吞吐量,并且具备ODT(终端电阻)功能以优化信号完整性。
类型:DDR3 SDRAM
容量:4Gb
组织方式:512M x 8
核心电压(Vcc):1.35V
I/O电压(Vccq):1.35V
速度:1600Mbps
封装形式:BGA
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
引脚数:78-ball
ME6203A44M3G采用了先进的DDR3技术,具有以下特点:
1. 高速数据传输速率可达1600Mbps,适合高性能计算需求。
2. 工作电压降低至1.35V,相比传统DDR3进一步降低了功耗。
3. 支持突发长度为8或4,能够灵活适应不同的应用场景。
4. 内置DLL(延迟锁相环),确保时钟信号与数据输出同步。
5. 具备ODT功能,可有效减少信号反射和干扰,从而提高系统稳定性。
6. 符合JEDEC DDR3标准,兼容性强。
7. 封装采用紧凑型BGA结构,便于集成到各种电路板中。
ME6203A44M3G适用于多种领域,主要包括:
1. 服务器和工作站内存模块,满足多任务处理及大数据运算的需求。
2. 网络通信设备中的高速缓存,如路由器、交换机等。
3. 图形工作站和高端PC的内存扩展。
4. 嵌入式系统中对数据处理速度要求较高的部分,例如工业控制、医疗设备等。
5. 游戏主机以及其他消费类电子产品,提供流畅的用户体验。
ME6203A44M3E
MT41K512M8HX-15E
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