类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：4.5A
　　导通电阻（RDS(on)）：85mΩ（最大值，VGS=10V）
　　功率耗散（PD）：1.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT223

DSA35-12B具备多项优异特性，使其在功率MOSFET中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了整体系统的能效。其次，该器件的最大漏极电流为4.5A，足以应对多数中低功率应用的需求，同时其漏源电压为30V，适用于多种低压电源转换系统。
　　此外，DSA35-12B采用SOT223封装，具备良好的散热能力，能够在较高的工作温度下稳定运行，同时节省PCB空间，非常适合紧凑型电子产品设计。该封装还具有较强的机械强度和焊接可靠性，有助于提升产品的整体稳定性。
　　在栅极驱动方面，DSA35-12B支持±20V的栅源电压，使其能够兼容多种常见的MOSFET驱动电路，同时具备良好的抗过压能力。其快速开关特性有助于减少开关损耗，适用于高频开关应用如DC-DC降压/升压变换器、同步整流器等。
　　另外，DSA35-12B在高温环境下仍能保持稳定的性能，工作温度范围从-55°C到+150°C，适合用于工业级和消费级产品中。

DSA35-12B广泛应用于多种电源管理和功率控制电路中。典型应用场景包括DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电源管理IC（PMIC）外围电路、马达驱动电路、LED驱动器以及便携式电子设备中的电源开关控制。
　　在DC-DC转换器中，DSA35-12B常用于同步整流或主开关元件，其低RDS(on)特性有助于提升转换效率并减少发热。在负载开关应用中，它可用于控制电源的通断，实现对负载的精确管理。此外，在电池供电设备中，如智能手机、平板电脑和便携式医疗设备，DSA35-12B可用于电池充放电管理电路，确保高效能与低功耗的平衡。
　　由于其SOT223封装体积小巧，DSA35-12B也适用于空间受限的高密度PCB设计。在工业自动化设备、智能家居控制系统以及小型电源适配器中也常见其身影。

Si2302DS, FDS6675, AO3400A