时间：2025/8/5 9:49:43
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GN2010D-INE3 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于高频率和高效能的应用场景。该器件采用 TO-252（DPAK）封装，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适合用于电源管理、DC-DC 转换器以及电机控制等应用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：75A（Tc=100℃）
导通电阻（Rds(on)）：最大 5.5mΩ @ Vgs=10V
工作温度：-55℃ ~ 175℃
封装：TO-252 (DPAK)
GN2010D-INE3 具备低导通电阻特性，使其在高电流应用中表现出较低的功率损耗。此外，该器件采用了先进的沟槽技术，提高了开关性能和效率。其高耐压能力和良好的热稳定性，使得 GN2010D-INE3 在高温环境下仍能保持稳定运行。该 MOSFET 还具备良好的雪崩能量吸收能力，增强了器件在瞬态过压情况下的可靠性。
此外，TO-252 封装提供了优良的散热性能，适合用于需要高功率密度的设计。其较小的封装尺寸也有助于节省 PCB 空间，适用于紧凑型电源系统的设计。
GN2010D-INE3 主要应用于高频率 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动、电池管理系统以及工业自动化控制设备。此外，该器件也适用于电源开关、负载开关以及汽车电子系统中的功率管理模块。
SiHH100N6P、IRF1405、FDP8870、NTMFS4C10N
